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R5為全橋高壓逆變MOS管源極的高壓電流取樣電阻，我們可以這么理解，高壓電流的大小基本上決定了輸出功率的大小，所以我們用R5檢測高壓電流的大小。圖中LM339的兩個比較器單元我們分別用來做過流和短路檢測。先看由IC3D及其外圍元件組成的過流保護電路，IC3D的8腳設定一個基準電壓，由R33、VR4、R56、R54分壓決定其值U8=5* （R33+VR4）/（R33+VR4+R56+R54）。當R5上的電壓經過R24、C17延時后超過8腳電壓14腳輸出高電平通過D7隔離到IC3B 的5腳。4腳兼做電池欠壓保護，正常時5腳電壓低于4腳，過流后5腳電壓高于4腳，2腳輸出高電平控制后級的高壓MOS關斷，當然也可以控制前級的MOS一起關斷。D8的作用是過流短路或電池欠壓后正反饋鎖定2腳為高電平。短路保護要根據MOS管的ID，安全區域和回路雜散電阻等參數設計。一般來說電流在ID以內，動作時間在30微秒以內是比較安全的。再看IC3C組成的短路保護電路，原理和過流保護差不多，只是延時的時間比較短，C19的容量很小，加上LM339的速度很快，可以實現太陽能逆變器短路保護在幾個微秒內關斷，有效地保護了高壓MOS管的安全。