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“新基建”作為新興產業，一端連接著不斷升級的消費市場，另一端連接著飛速發展的科技創新。值得注意的是，無論是5G、新能源汽車還是工業互聯網等，“新基建”各個產業的建設都與半導體技術的發展息息相關。例如：
以氮化鎵(GaN) 為核心的射頻半導體，支撐著5G基站及工業互聯網系統的建設；以碳化硅(SiC) 以及IGBT為核心的功率半導體，支撐著新能源汽車、充電樁、基站/數據中心電源、特高壓以及軌道交通系統的建設；以AI芯片為核心的SOC芯片，支撐著數據中心、人工智能系統的建設。
GaN功率器件
GaN功率器件，與前述GaN射頻功率芯片有所區分。主要指在高電壓和較大電流下工作，與高頻和射頻關系不大。這類常見的應用是電源相關的芯片。
功率器件主要是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)。不同于其他依靠電流驅動的晶體管，MOSFET是電壓驅動型器件，只需在門極施加一個合適的電壓，MOSFET就會導通。這一特性讓MOSFET在AC/DC開關電源、變速電機、熒光燈、DC/DC轉換器等設備中有著無法替代的作用。
GaN功率器件的主要應用：
消費電子：GaN由于高功率密度和良好的溫度特性，用在電源上可兼顧小體積與大功率輸出，此外還具有更好的開關特性
