一、鍍膜制樣系統的特點：
1、面積大：0~?25毫米、 0~?50毫米。2、濺射樣品表面膜層更均勻。
3、顆粒度更小（3nm左右）
4、濺射到樣品表面能量低，對樣品損傷小。（適用溫度敏感性高的樣品）
5、可以濺射各種固體靶材（如各種金屬、陶瓷、碳等）。
6、控制精度高，實驗結果精準可控重復性高。
7、在同一真空腔內，可實現清洗和鍍膜，降低污染樣品造成的數據偏差。
8、加入特殊氣體，可進行反應離子束刻蝕。
9、可實現的功能有：等離子清洗、鍍膜等。
10、數字化自動控制系統
二、技術參數：
1、真空度：極限真空度5*10-3Pa （不通氬氣）
2、*高壓：（1）200~6000V
3、樣品臺可旋轉。
4、具有自保護功能。
5、單離子槍
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