一、概述
多角度激光橢偏儀使用632.8nm波長HeNe激光器，對測量薄膜厚度，折射率和吸收系數有非常出色的精度。儀器能夠分析單層膜，多層膜和大塊材料（基底）。
二、規格
1、激光波長：632.8nm；
2、150mm（z-tilt）載物臺；
3、入射角度可調，步進5°；
4、自動對準鏡/顯微鏡，用于樣品校準；
5、Small footprint；
6、以太網接口連接到PC。
三、產品特點
1、超高精度和穩定性，，來源于高穩定激光光源、溫度穩定補償器設置、起偏器跟蹤和超低噪聲探測器。
2、高精度樣品校準，使用光學自動對準鏡和顯微鏡。
3、快速簡易測量，可選擇不同的應用模型和入射角度。
4、多角度測量，可支持復雜應用和精確厚度。
5、全面預設應用，包含微電子、光電、磁存儲、生命科學等領域。
四、技術指標
1、波長：632.8nm氦氖激光器。
2、長期穩定性：d(y)=±0.01°；d(D)=±0.1°。
3、折射率測量精度：5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。
4、弱吸光性薄膜厚度范圍（多晶硅）：2μm。
5、測量時間：120ms～1.5s（決定于測量方式）。
6、入射角：手動角度計40°～90°，步進值5°。
7、選項：360°旋轉單元；真空吸盤；x-y地形圖掃描載物臺。
8、90°位置時y，D精度：d(y)=±0.002°；d(D)=±0.002°。
9、膜厚測量精度：0.1Å for 100nm SiO2 on Si。
10、透明薄膜的厚度范圍：4μm。
11、膜層數量默認：在基底或多層膜上的1-3層膜。
12、激光束直徑：1mm。
13、樣品載物臺：可調節高度和角度的樣品臺，150mm直徑。
14、設置：高穩定性補償器，可得到0°和180°附近D的高精確度電腦控制的起偏器，定位/探測，自動校準高穩定旋轉分析器。
