EM12-PV用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系數k。
EM12-PV融合多項量拓科技技術，采用一體化樣品臺技術，兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品。一鍵式多線程操作軟件，使得儀器操作簡單安全。
特點：
粗糙絨面納米薄膜的測量
光能量增強技術、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法，實現了對粗糙表面散射為主和反射率為特征的絨面太陽電池表面納米鍍層的檢測。
次納米量的高靈敏度和準確度
采樣方法、穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了高準確度和穩定性，測量絨面減反膜的厚度精度優于0.2nm。
1.6秒的快速測量
水準的儀器設計，在保證精度和準確度的同時，可在1.6秒內快速完成一次測量，可滿足快速多點檢測和批量檢測需求。
簡單方便安全的儀器操作
一鍵式操作設計，用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數據一鍵導出，豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高操作需求。
應用：
EM12-PV適合于光伏領域中端精度要求的工藝研發和現場的質量控制。
EM12-PV可用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面上單層減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n，典型納米膜層包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等，應用領域包括晶體硅太陽電池、薄膜太陽電池等。
EM12-PV也可用于測量光滑平面基底上的單層或雙層納米薄膜，包括膜層的厚度，以及在632.8nm下的折射率n和消光系數k。也可用于測量塊狀材料（包括，液體、金屬、半導體、介質等）在632.8nm下的折射率n和消光系數k。應用領域包括半導體、微電子、平板顯示等。
技術指標：
| 項目 | 技術指標 |
| 儀器型號 | EM12-PV |
| 激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
| 膜厚測量重復性（1） | 0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 0.2nm (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
| 折射率精度（1） | 2x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 2x10-3 (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
| 單次測量時間 | 與測量設置相關，典型1.6s |
| 光學結構 | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度） |
| 激光光束直徑 | 1-2mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手動調節，步進5° |
| 樣品方位調整 | 一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品 |
| 可測量156*156mm電池樣品上每個點 | |
| Z軸高度調節：±6.5mm | |
| 二維俯仰調節：±4° | |
| 樣品對準：光學自準直顯微和望遠對準系統 | |
| 樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
| 兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品 | |
| 大的膜層厚度范圍 | 粗糙表面樣品：與絨面物理結構及材料性質相關 |
| 光滑平面樣品：透明薄膜可達4um，吸收薄膜與材料性質相關 | |
| 大外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
| 儀器重量（凈重） | 25Kg |
| 選配件 | 水平XY軸調節平移臺 |
| 真空吸附泵 | |
| 軟件 | ETEM軟件： |
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性能保證：
穩定的He-Ne激光光源采樣方法以及低噪聲探測技術，保證了穩定性和準確度
一體化樣品臺技術，兼容單晶和多晶硅太陽電池樣品,輕松變換可實現準確測量
高精度的光學自準直顯微和望遠系統，保證了快速、高精度的樣品方位對準
新型樣品調節技術，有效提高樣品定位精度，并節省操作時間
新型光電增強技術和噪聲處理方法，顯著降低現場噪聲的影響
一體化集成式儀器整體設計，保證了系統穩定性，并節省空間
分立式的多入射角選擇，可應用于復雜樣品的折射率和相對厚度的測量
一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫，方便用戶使用
可選配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
VP01真空吸附泵
VP02 真空吸附泵
