EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量?？捎糜跍y量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k；也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k；亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的相對厚度測量。
EMPro采用了量拓科技多項技術。
特點：
原子層量的靈敏度
采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量的極薄納米薄膜，膜厚精度達到0.01nm，折射率精度達到0.0001。
百毫秒量的快速測量
水準的儀器設計，在保證精度和準確度的同時，可在幾百毫秒內快速完成一次測量，可滿足單原子膜層生長的實時測量。
簡單方便的儀器操作
用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程，數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高測量設置。
應用：
EMPro適合于高精度要求的科研和工業產品環境中的新品研發或質量控制。
EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k；可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k；可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。
EMPro可應用的納米薄膜領域包括：微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等?？蓱玫膲K狀材料領域包括：固體（金屬、半導體、介質等），或液體（純凈物或混合物）。
技術指標：
| 項目 | 技術指標 |
| 儀器型號 | EMPro31 |
| 激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
| 膜厚測量重復性（1） | 0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 折射率測量重復性(1) | 1x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 單次測量時間 | 與測量設置相關，典型0.6s |
| 結構 | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度） |
| 激光光束直徑 | 1mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手動調節，步進5° |
| 樣品方位調整 | Z軸高度調節：±6.5mm 二維俯仰調節：±4° 樣品對準：光學自準直和顯微對準系統 |
| 樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
| 大的膜層范圍 | 透明薄膜可達4000nm 吸收薄膜則與材料性質相關 |
| 大外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
| 儀器重量（凈重） | 25Kg |
| 選配件 | 水平XY軸調節平移臺 真空吸附泵 |
| 軟件 | ETEM軟件： l 中英文界面可選； l 多個預設項目供快捷操作使用； l 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合； l 方便的數據顯示、編輯和輸出 l 豐富的模型和材料數據庫支持 |
注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。
性能保證：
高穩定性的He-Ne激光光源、采樣方法以及低噪聲探測技術，保證了高穩定性和高準確度
高精度的光學自準直系統，保證了快速、高精度的樣品方位對準
穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準，結合采樣技術，保證了快速、穩定測量
分立式的多入射角選擇，可應用于復雜樣品的折射率和相對厚度的測量
一體化集成式的儀器結構設計，使得系統操作簡單、整體穩定性提高，并節省空間
一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫，方便用戶使用
準確度測試：
在入射角40°~85°范圍內對Si基底上SiO2薄膜樣品橢偏角Psi和Delta測量值和理論擬合值如下圖所示：
可選配件：
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池
