光譜橢偏儀

一、目的

本設備基于單旋轉補償器調制技術一次性獲取Psi/Delta、N/C/S、反射率等光譜，可實現基底上單層到多層薄膜的膜厚、光學常數的快速分析表征。

二、測量系統規格

SE-VE光譜橢偏儀技術參數

1. 橢偏儀測頭規格：

1. 光譜范圍：400-800nm

2. 入射角：65°

3. 光斑大小：2-3mm

4. 調制技術：PC_RSA調制技術

5. 膜厚重復性測量精度：0.05nm（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復測量1σ）

6. 折射率測量精度：0.001（100nm 硅基SiO2樣件，30次重復測量1σ）

7. 膜厚測量范圍：0.1nm—10μm

8. 單點測量時間：＜5s

9. 光源：高性能進口鹵素燈光源（鹵素燈壽命：2,000h）

10. 可視化樣品顯微對準系統

    

    圖1光譜橢偏測頭原理圖

    

    圖2 SE-VE光譜橢偏儀實物圖

1. 樣品臺規格：

1. 基板尺寸：*大支持樣件尺寸到8inch晶圓 （可定制）

2. Z軸位移行程：0-10mm

3. 樣件臺俯仰角度：> ±2°

1. 測控與分析軟件

1. 光譜測量能力：PSI/DELTA橢偏光譜、N/C/S光譜、反射率光譜測量

2. 數據分析能力：具備單層、多層膜厚、光學常數（折射率、消光系數）分析能力

3. 支持常用光學常數模型以及常用振子模型（柯西模型、洛倫茲模型、高斯模型等），并支持圖形化多振子混合模型擬合功能

4. 支持多組分薄膜與體材料光學常數、組分比例分析功能； 核心算法包含嚴格耦合波模型、等效介質模型

5. 支持用戶自定義，軟件不限制拷貝數量，支持windows10操作系統

1. 測控與分析計算機

1. 操作系統：WIN10 64位

2. CPU處理器：Intel 酷睿I3

3. 內存：≥4G

4. 硬盤：≥500G

5. 顯示器：≥19寸

1. 配件

1. 標準SiO2/Si標樣

2. 標準安裝工具一套

1. 環境要求

1. 橢偏儀承載臺：尺寸>1.5m（長）× 1.0 m（寬），承載能力大于50Kg（建議光學隔振）

2. 使用溫度范圍：20 ~ 26 ℃

3. 相對濕度：35% ~ 60% RH

4. 空氣壓力范圍：750~1014 mbar

5. 潔凈度： Class 10000

1. 能源要求

1. 供電電源電壓：220V AC

2. 正常頻率范圍：49-51Hz

3. 相電流：有效值小于0.5A（220V AC）

4. 功率：小于110 W

1. 涂裝與表面處理

1. 涂裝顏色：以黑色為主

2. 表面處理：鍍化學鎳、陽極處理、烤漆等

1. 質保與售后服務

1. 整機硬件質保期為12個月。在質保期內出現各類故障供方及時免費維修，對非人為造成的各類零件損壞，及時免費更換

2. 測控與分析軟件：升級，數據分析軟件提供拷貝

3. 為用戶提供**充分儀器操作與數據分析培訓

4. 提供終身免費數據建模與分析技術支持，為用戶提供樣件材料光學常數標定與模型庫升級服務

5. 供方在接到故障報修信息后，供方維修人員4小時內電話響應，*晚48小時內供方服務工程師進行****維修