高效率的截面研磨
IM4000II配備截面研磨能力達到500 µm/h*1以上的高效率離子槍。因此，即使是硬質材料，也可以高效地制備出截面樣品。
1、即使是由不同硬度以及研磨速度材質所構成的復合材料，也可以通過IM4000Ⅱ制備出平滑的研磨面
2、優化加工條件，降低因離子束所致樣品的損傷
3、可裝載20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品
直徑約為5mm范圍內的均勻加工
應用領域廣泛
可裝載直徑50 mm × 高度25 mm的樣品
可選擇旋轉和擺動（±60度，±90度的擺動）2種加工方法
去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變
去除樣品表層部分
消除因FIB加工所致的損傷層
*1 需與主機同時訂購。
*1 僅支持帶有真空轉移交換倉的日立FE-SEM
*2 僅支持真空型日立AFM。
*1 在加速電壓6 kV下，將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時的深度
樣品：Si片（2 mm厚）
加速電壓：6.0 kV
擺動角度：±30°
研磨時間：1小時
截面研磨時如果擺動的角度發生變化，加工的寬度和深度也會發生變化。下圖為Si片在擺動角度為±15°下進行截面研磨后的結果。除擺動角度以外，其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結果進行對比后，可發現加工的深度變深。
對于觀察目標位于深處的樣品來說，能夠對樣品進行更快速的截面研磨。
樣品：Si片（2 mm厚）
加速電壓：6.0 kV
擺動角度：±15°
研磨時間：1小時
復合型研磨儀
截面研磨
平面研磨
平面研磨的主要用途
產品選配項：
低溫控制功能*1
將液氮裝入杜瓦罐中，以此作為冷卻源間接冷卻樣品。IM4000Ⅱ配有溫度調節控制功能，以防止樹脂和橡膠樣品過冷。
真空轉移功能
離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態下直接轉移到SEM*1、AFM*2上。真空轉移功能與低溫控制功能可同時使用。（平面研磨真空轉移功能不適用低溫控制功能）。
觀察加工過程的體式顯微鏡
右圖為用于觀察樣品加工過程的體式顯微鏡。搭載了CCD相機的三目型顯微鏡能夠在顯示器上進行觀察。也可配置雙目型體式顯微鏡。
產品規格：
| 主要內容 | |
| 使用氣體 | 氬氣 |
| 氬氣流量控制方式 | 質量流量控制 |
| 加速電壓 | 0.0 ～ 6.0 kV |
| 尺寸 | 616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
| 重量 | 主機53 kg＋機械泵30 kg |
| 截面研磨 | |
| 研磨速度（Si材料） | 500 µm/h*1以上 |
| 樣品尺寸 | 20(W）×12(D）×7（H）mm |
| 樣品移動范圍 | X±7 mm、Y 0 ～+3 mm |
離子束間歇加工功能 開啟/關閉 時間設定范圍 | 1秒 ～ 59分59秒 |
| 擺動角度 | ±15°、±30°、±40° |
| 廣域截面研磨功能 | - |
| 平面研磨 | |
| 加工范圍 | φ32 mm |
| 樣品尺寸 | Φ50 X 25 (H) mm |
| 樣品移動范圍 | X 0～＋5 mm |
離子束間歇加工功能 開啟/關閉 時間設定范圍 | 1秒 ～ 59分59秒 |
| 旋轉速度 | 1 rpm、25 rpm |
| 擺動角度 | ±60°、± 90° |
| 傾斜角度 | 0 ～ 90° |
*1 將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時的深度。
選配項
| 項目 | 內容 |
| 低溫控制功能*2 | 通過液氮間接冷卻樣品，溫度設定范圍：0°C ～ －100°C |
| 超硬遮擋板 | 使用時間約為標準遮擋板的2倍（不含鈷） |
| 加工過程觀察用顯微鏡 | 放大倍數 15× ～ 100× 雙目型、三目型（可裝CCD） |
*2 需與主機同時訂購。冷卻溫度控制功能在使用時，部分功能可能使用有限。
