德國Diener PECVD等離子體化學氣相沉積設備
該PECVD系統可以沉積高質量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質薄膜、光學薄膜等。
主要技術參數:
PC控制軟件
RF發生器 0~3000W 脈沖模式
腔體防腐處理,400*400*1500mm,240L
腔體加熱80℃
帶觀察窗
多路工藝氣體通道,MFC控制 防腐處理
HMDSO單體通道
易燃易爆氣體安全閥
Gas Shower氣浴電極
設備外尺寸2000*600*1700mm
進口真空泵組
電壓 3項400V
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