光致發光(photoluminescence)即PL，是用紫外、可見或紅外輻射激發發光材料而產生的發光，在半導體材料的發光特性測量應用中通常是用激光（波長如325nm、532nm、785nm等）激發材料（如GaN、ZnO、GaAs等）產生熒光，通過對其熒光光譜（即PL譜）的測量，分析該材料的光學特性，如禁帶寬度等。光致發光可以提供有關材料的結構、成分及環境原子排列的信息，是一種非破壞性的、高靈敏度的分析方法，因而在物理學、材料科學、化學及分子生物學等相關領域被廣泛應用。
傳統的熒光光譜儀一般采用透鏡收光的方式，針對發光非常微弱的納米材料，即便用激光器激發，也很難獲得較好的信號。結合多年的實際測樣經驗，良允科儀推出了顯微PL系統，采用顯微物鏡收光，較傳統的熒光光譜儀其收光效率提升了至少3個數量級，因此特別適用于傳統熒光系統難以檢測到的微弱信號，另外其輔助的白光成像功能，還可以實現微區（微米級）定位測量。
應用領域：
· 半導體材料
· 納米材料
· 薄膜材料
· 光波導器件
· LD, LED外延片
產品特點：
· 光譜范圍：200-1700nm
· 光斑大小：≤10μm（325nm激光、100X物鏡）
· 光譜分辨率：優于0.1nm
· 白光成像分辨率：亞微米級
· 激光器：266nm、325nm、360nm、405nm、488nm、510nm、532nm、633nm、785nm等可選
· 樣品臺：手動/電動可選
· 采譜模式：單點掃描/線掃描可選
系統功能：
· 微區PL測量
· 可同時配置多路激光器
· 自由光路耦合，保障光效率
· 顯微光路設計，保障激發、收集效率
· 高精度位移臺，實現微米級定位測量
擴展功能：
· 微區電致發光（EL）測量
· 熒光壽命測量：ps-ms量級
· 自動Mapping功能：50mm×50mm行程，步進精度1μm
· 光電流譜（成像）測量
· 光電材料響應度測試
· 變溫附件：77K-600℃/4K、10K超低溫
實測案例：
樣品（粉末）：8%Ag2S/SnS2-ND
激發光源：405nm激光器，積分時間：0.5s；
AlGaN寬禁帶半導體材料
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