EKSMA硒化鎵(GaSe)晶體GaSe-10H1

用于產生太赫茲THz的GaSe（硒化鎵）晶體顯示出高達41 THz的大帶寬。GaSe是負單軸層狀半導體，具有62 m點組的六邊形結構，在300 K時的直接帶隙為2.2eV。GaSe晶體具有高損傷閾值，較大的非線性光學系數（54 pm / V），合適的透明范圍和低吸收系數，這使其成為寬帶中紅外電磁波產生的替代解決方案。由于使用低于20 fs的激光源產生和檢測寬帶太赫茲，因此與使用薄的ZnTe晶體相比，GaSe發射器-探測器系統的性能可達到相當甚至更好的結果。為了實現頻率選擇性太赫茲波的產生和檢測系統，應使用適當厚度的GaSe晶體。