廣電計量MOS FET/IGBT 動態參數測試系統入選2025年無錫市場景清單

　　近日，無錫市場景創新大會隆重舉行。會上，無錫市發展和改革委員會圍繞科技創新、產業發展等五大重點場景應用方向發布了《2025 年無錫市場景清單(第一批)》。廣電計量MOS FET/IGBT 動態參數測試系統解決方案成功入選其中，這無疑是對廣電計量技術實力與行業貢獻的高度認可。

無錫市場景創新大會
 

　　在功率半導體領域，準確測量MOS FET/IGBT 的動態參數對器件開關性能起決定性作用。廣電計量MOS FET/IGBT 動態參數測試系統解決方案致力于對器件在不同環境下特性的測試，可以通過修改驅動模塊和夾具模塊的搭建，解決在整機系統進行動態參數測試時無法對多樣功率器件模塊測試問題，使測試平臺可以兼容更多封裝類型的模塊功率器件測試。這種方法可以根據樣品封裝進行調整，適用性更廣，且分模塊搭建可以降低搭建成本，也更方便調整由于接線問題導致的測試波形不穩定。這一系統的創新性和實用性，使其成為眾多企業在相關測試環節，也正是入選清單的關鍵技術因素。
 

　　廣電計量功率半導體及第三代半導體測試分析服務
 

　　面對第三代半導體產業復雜工藝與高精尖檢測需求，公司不斷加大研發投入，引進國際前沿檢測設備，具備功率半導體器件的全參數測試能力。
 

　　●針對以SiC為代表的功率器件高壓、高溫、大功率等特點，廣電計量采用全新的硬件設計方案及制板工藝，成功實現高達1000V以上的HV-H3TRB和HV-HAST和高達225℃的HTRG和HTGB試驗能力，充分驗證第三代半導體功率器件的極限工作穩定性。
 

　　●針對SiC、GaN高速工作的應用場景，現行的基于Si器件的測試技術及設備已難以有效模擬出器件偏置下的應力狀態的工作壽命。廣電計量積極開發DRB、DGS、AC-HTC、DHTOL等各項動態可靠性驗證技術，充分驗證第三代半導體功率器件的實際工作穩定性。
 

　　●為國內三分之二的功率器件企業提供參數測試、可靠性試驗及失效分析。
 

　　●第三代半導體檢測領域合作客戶超過80家，樣品數量三十余萬件。