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北京維意真空技術應用有限責任公司
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原子層沉積是在一個加熱反應器中的襯底上連續引入至少兩種前驅體物種，化學吸附的過程直至表面飽和時就自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件的工具。
原子層沉積是在一個加熱反應器中的襯底上連續引入至少兩種前驅體物種，化學吸附直至表面飽和時就自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件的工具。
產品規格
Wafer尺寸: 50--200mm (2--8)，300mm (12)可選配
工作溫度: 100—400攝氏度 (500攝氏度可選)
真空腔體尺寸: 250, 320, 400mm
反應腔體: 具有大,中,小三種
反應腔體材料: 316SS,Ti,Ni,Al,石英
前驅體源: 2--4種，可為固體/液體/氣體
樣品載臺: 氣動式移動
14、結論與展望
A、ALD技術是目前被半導體工業采納應用的成熟薄膜沉積技術；B、存在其他的商業領域；C、ALD在納米技術領域中存在廣泛的應用；D、ALD技術在光伏產業擁有*的應用潛力；E、ALD生在的表面控制特性使得在三維基體上嚴格的均勻生長薄膜成為可能性。
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