這些PS6催化劑和吸附器本體氣體凈化器以高可靠性、低成本和高性能有效地去除了大量雜質。
- 使用專門設計的雙催化和吸附工藝，為半導體應用提供高純度氣體
- 碳氫化合物（CH4）、一氧化碳（CO）和氫氣（H2）在高溫下與氧化催化劑容器中的氧氣（O2）反應，形成二氧化碳（CO2）和水（H2O），然后在環境溫度吸附器容器中去除。
- 兩個吸附器容器在凈化和再生模式之間交替，提供連續凈化
- 吸附劑再生是通過在高溫下反沖洗純化的O2來實現的
- 優化設計在流量高達16667 slpm（1000 Nm3/hr）的小占地面積內提供亞ppb性能
產地：美國
工藝：雙催化和吸附
氣體凈化：O2
雜質去除至<1ppb：H2O、CO、CO2、H2、CH4
流量max.：15 Nm3/hr
壓降max.：<0.7 bar (70 kPa)
吸附器容器數量：2
高度H：193 cm
寬度W：89 cm
深度D：84 cm
重量：<600 kg
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