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深圳市華科智源科技有限公司
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參 考 價: ¥ 1
訂 貨 量: ≥1 臺
產品型號HUSTEC-1600A-MT
品 牌其他品牌
廠商性質生產商
所 在 地深圳市
聯系方式:陳經理查看聯系方式
更新時間:2024-05-13 11:24:34瀏覽次數:155次
產品分類 品牌分類
全部產品列表
經營模式:生產廠家
商鋪產品:82條
所在地區:廣東深圳市
聯系人:陳經理 (銷售)
華科智源靜態參數測試系統,測試二極管 、IGBT,MOS管,SIC器件靜態參數,并生產器件傳輸曲線和轉移曲線,測試1600A,5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于器件設計,封裝測試,軌道交通,電動汽車 ,風力發電,變頻器,焊機等行業的IGBT來料選型和失效分析。
HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
IGBT靜態參數測試系統
一:靜態參數測試系統主要特點
華科智源HUSTEC-1200A-MT電參數測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管,MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通,電動汽車 ,風力發電,變頻器,焊機行業的IGBT來料選型和失效分析,設備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設置參數直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試;
靜態參數測試系統測試參數:
ICES 集電極-發射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發射極飽和電壓
ICON 通態電極電流
VGEON 通態柵極電壓
VF 二極管正向導通壓降
整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。
二:靜態參數測試系統應用范圍
A:IGBT單管及模塊,
B:大功率場效應管(Mosfet)
C:大功率二極管
D:標準低阻值電阻
E:軌道交通,風力發電,新能源汽車,變頻器,焊機等行業篩選以及在線故障檢測
三、靜態參數測試系統特征:
A:測量多種IGBT、MOS管
B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;
C:脈沖寬度 50uS~300uS
D:Vce測量精度2mV
E:Vce測量范圍>10V
F:電腦圖形顯示界面
G:智能保護被測量器件
H:上位機攜帶數據庫功能
I:MOS IGBT內部二極管壓降
J : 一次測試IGBT全部靜態參數
K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)
L:可以進行不同曲線的對比,觀測同一批次產品的曲線狀態,或者不同廠家同一規格參數的曲線對比;
序號
測試項目
描述
測量范圍
分辨率
精度
1
VF
二極管正向導通壓降
0~20V
1mV
±1%,±1mV
2
IF
二極管正向導通電流
0~1200A
≤200A時,0.1A
≤200A時,±1%±0.1A
3
>200A時,1A
>200A時,±1%
4
Vces
集電極-發射極電壓
0~5000V
1V
±1%,±1V
5
Ic
通態集電極電流
6
7
Ices
集電極-發射極漏電流
0~50mA
1nA
±1%,±10μA
8
Vgeth
柵極-發射極閾值電壓
9
Vcesat
集電極-發射極飽和電壓
10
Igesf
正向柵極漏電流
0~10uA
±2%,±1nA
11
Igesr
反向柵極漏電流
12
Vges
柵極發射極電壓
0~40V
華科智源靜態參數測試系統針對 IGBT 的各種靜態參數而研制的智能測試系統;自動化程度高(按照操作人員設定的程序自動工作),計算機可以記錄測試結果,測試結果可轉化為文本格式存儲,測試方法靈活(可測試器件以及單個單元和多單元的模塊測試),安全穩定(對設備的工作狀態進行全程實時監控并與硬件進行互鎖),具有安全保護功能,測試速度方便快捷。
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