詳細介紹
NBT18-S05B-N2N2 |
接近開關
◆ 采用低電壓小電流設計
◆ 適應于易燃易爆危險領域
◆ 電流消耗:無衰減:≥2.2mA,衰減≤ 1mA
◆ 外殼材料:黃銅鍍鎳
上海召平電子有限公司 |
參考價 | 面議 |
更新時間:2022-07-18 11:16:46瀏覽次數:445
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NBT18-S05B-N2N2 |
接近開關
◆ 采用低電壓小電流設計
◆ 適應于易燃易爆危險領域
◆ 電流消耗:無衰減:≥2.2mA,衰減≤ 1mA
◆ 外殼材料:黃銅鍍鎳