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CVD鍍膜設備

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更新時間：2021-04-28 15:31:44瀏覽次數：860次

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CVD鍍膜設備探測元素范圍Detection range of elements： Be（4） ~ Fm（100）探測元素范圍探測元素范圍武漢賽斯特精密儀器有限公司是武漢市專業研發，以力學試驗機儀器為主

詳細介紹

CVD鍍膜設備

聚焦離子束系統（FIB）：材料微納結構的樣品制備，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。

聚焦離子束場發射掃描雙束電鏡（FIB）是上納米結構分析和材料微納結構制備的*設備。它配有電子束和Ga離子束，可以實現電子束與離子束的同時在線觀測，具有束流穩定、分辨率高、納米操控確的特點，可以在納米尺度的分辨率下對材料進行三維、高質量、高穩定性的顯微形貌、晶體結構和相組織的觀察與分析，及各種材料微區化學成分的定性和定量檢測。

CVD鍍膜設備

主要技術指標The main technical indicators：

SEM   分辨率Resolution： 1.0nm @ 15kV   1.9nm @ 1kV

放大倍數Mag.：12 ~ 1000,000x

加速電壓EHT：0.1 ~ 30kV

FIB 分辨率Resolution：2.5nm @ 30kV

放大倍數Mag.：300×～ 500,000×

加速電壓EHT：1.0 ~ 30Kv

配置Configuration

探測器Detector：Inlens二次電子探測器

E-T 二次電子探測器

ESB背散射電子探測器

X射線能譜儀 X-ray spectrometer

分辨率Resolution：127 eV @ MnKα

探測元素范圍Detection range of elements： Be(4) ~ Fm(100)

EBSD探測器 EBSD Detector

空間分辨率Spatial resolution：50nm

主要功能：

1.        場發射掃描電鏡（SEM）：各種材料形貌觀察和分析，如金屬、半導體、陶瓷、高分子材料、有機聚合物等

2.        X射線能譜分析儀（EDS）：材料微區成分分析；MnKa峰的半高寬優于127eV；CKa峰的版高寬優于56Ev;FKa峰的半高寬優于64eV；元素Be4-U92;

3.        3D背散射電子取向成像系統（EBSD）：多晶材料的晶體取向和織構分析和3D重構；空間分辨率：優于50nm；探測器靈敏度：加速電壓在3KV時，束流小于50pA能采集到花樣；解析速度大可達600點/s；測試能譜和EBSD 同步采集和一體化功能，選取實際樣品進行三維EDS & EBSD測試；

4.        聚焦離子束系統（FIB）：材料微納結構的樣品制備，包括：SEM在線觀察下制備TEM樣品、材料微觀截面截取與觀察、樣品微觀刻蝕與沉積等。