等離子體納米表面處理升級系統
產品特點：
等離子源采用頻率為13.56MHz射頻發生器，同時具備物理清洗和化學清洗能力。
電源功率為200W，覆蓋常規處理需求
創新設計，可調整電極之間距離，調整等離子體濃度和強度，大提升處理效率和能力
真空腔體和管道連接件均采用316不銹鋼，電極6061空鋁合金，配件材質精良，保證設備穩定高效運行
樣品處理面積可達125mm（大處理面積可達200mm，如有需求請咨詢銷售人員）
4.3寸工業級觸摸屏，操作簡單，可設置多種實驗參數
性能穩定可靠，質量穩定，自主研發，售后有保障
等離子體納米表面處理升級系統
產品參數:
1. 真空腔規格: 316不銹鋼腔體,直徑210mm*(深)230mm 約4L
2. 電極：兩個自適應平板電極，材質T6061鋁合金
3. 電極尺寸：120*135mm 間距20~75mm 可調
4. 等離子體發生器：RF射頻發生器，頻率：13.56MHz
5. 功率：0-200W連續可調，精度1W
6. 氣體控制：針式氣體流量閥，標配1路氣體
7. 控制方式：4.3寸工業控制觸摸屏
控制軟件功能：界面顯示實時工作狀態，
可顯示設置值與實際值，便于實時控制。
可自由設置等離子功率，通入氣體時間
全手動控制和全自動控制可選
8. 保護裝置：一鍵急停保護按鈕
等離子體表面處理系統Pluto-M參數(標準配置)
外部尺寸
404*640*515mm
真空腔尺寸
直徑210mm*230mm
不銹鋼腔體
電極尺寸
125*125mm
多空自適應平板電極
等離子體發生器
RF射頻發生器，頻率：13.56MHz
自適應阻抗匹配電源
功率
0-200W連續可調
精度1W
真空計
熱電偶真空計 0-1000mT
供氣
1路氣體
6mm國標連接件（軟管）
控制方式
4.3寸觸摸屏
可 選 配 置
ALC
純鋁腔體
RF-300
等離子體發生器
頻率13.56MHz ，0-300W自動阻抗匹配電源
可調電極
可調節電極間距
電極間距20-60mm可調，改變等離子體場濃度特性
CM裝置
沉積鍍膜模塊
用于改變表面特性：
1. 沉積CF材料，樣品表面可以具有憎水的特性
2. 沉積含苯材料，樣品表面起到絕緣防水的特性
3. 沉積含有羥基的材料，提高樣品表面和其他材料的結合效果。
GP裝置
氣體純化裝置
PPU
粉體處理裝置
用于處理微納米級別顆粒
氣體收集裝置
用于收集等離子體化學反應后的氣體
小型氧氣發生器
用于制備氧氣，可取代氧氣罐
氣體混合裝置
可以根據可以要求進行混氣設計
感應耦合模塊
感應耦合等離子體裝置
加熱電極模塊
電極可以加熱，室溫~200度可調。
光譜儀模塊
可以增加光譜儀的接口，檢測等離子體光譜變化
電極轉換模塊
可以自由變換電極設計，樣品可以放在射頻電極上，也可以放在地電極上。從而實現不同的處理效果。
