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武漢普賽斯儀表有限公司
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| 測量范圍 | 300mV-300V/100nA-1A | 測量精度 | 0.01 |
|---|---|---|---|
| 外形尺寸 | 425*255*106mm | 用途 | 分立半導體器件,傳感器,太陽能電池,納米材料,有機材料 |
| 重量 | 5kg | 測試范圍 | 0~3000V，0~100mA |
| 測試精度 | 0.1% | Z大輸出功率 | 300W |
IGBT擊穿電壓測試源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA
IGBT擊穿電壓測試源測單元簡介
高電壓源測單元具有輸出及測量電壓高（3000V）、能輸出及測量微弱電流信號（1nA）的特點。設備工作在D一象限，輸出及測量電壓0~3000V，輸出及測量電流0~100mA。支持恒壓恒流工作模式，同時支持豐富的I-V掃描模式。
設備可應用于IGBT擊穿電壓測試、IGBT動態測試母線電容充電電源、IGBT老化電源、防雷二極管耐壓測試、壓敏電阻耐壓測試等場合。其恒流模式對于快速測量擊穿點具有重大意義。
技術指標
電壓性能參數：
電壓 | 源 | 測量 | ||
量程 | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) |
100V | 10mV | 0.1%±40mV | 10mV | 0.1%±40mV |
600V | 60mV | 0.1%±100mV | 60mV | 0.1%±100mV |
1000V | 100mV | 0.1%±300mV | 100mV | 0.1%±300mV |
1500V | 150mV | 0.1%±400mV | 150mV | 0.1%±400mV |
2200V | 220mV | 0.1%±700mV | 200mV | 0.1%±700mV |
3000V | 300mV | 0.1%±900mV | 300mV | 0.1%±900mV |
電流性能參數：
電流 | 源 | 測量 | ||
量程 | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) | 分辨率 | 準確度±(% rdg.+volts) |
1uA | 100pA | 0.1%±1nA | 100pA | 0.1%±1nA |
10uA | 1nA | 0.1%±5nA | 1nA | 0.1%±5nA |
100uA | 10nA | 0.1%±50nA | 10nA | 0.1%±50nA |
1mA | 100nA | 0.1%±300nA | 100nA | 0.1%±300nA |
10mA | 1uA | 0.1%±5uA | 1uA | 0.1%±5uA |
100mA | 10uA | 0.1%±10uA | 10uA | 0.1%±10uA |
Z大輸出功率：300W，3000V/100mA（不同型號有差異）；
輸出電壓建立時間：< 5ms；
輸出接口：KHV（三同軸），支持四線測量；
掃描：支持線性、對數及用戶自定義掃描；
通信接口：RS232、以太網；
保護：支持急停；
觸發：支持trig IN及trig out；
尺寸：19英寸1U機箱；
IGBT擊穿電壓測試源測單元訂貨信息
型號 | E100 | E200 | E300 |
源精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
測量精度 | 0.1% | 0.1% | 0.1% |
Z大功率 | 100W | 220W | 300W |
Z小電壓量程 | 100V | 100V | 100V |
Z大電壓量程 | 1000V | 2200V | 3000V |
Z小電流量程 | 1uA | 1uA | 1uA |
Z大電流量程 | 100mA | 100mA | 100mA |
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