高磁場霍爾效應實驗儀半導體材料測試系統 返回列表頁

產品概述：

   本儀器系統由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、系統軟件。為本儀器系統專門研制的 JH10效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。 實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(HallCoefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。

此處只列出系統的主要技術指標。

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高磁場霍爾效應實驗儀半導體材料測試系統

技術指標：

* 磁 場：10mm 間距為 2T ,20mm 間距為 1.3T

* 樣品電流：0.05uA~50mA(調節 0.1nA)

* 測量電壓：0.1uV~30V ▲ 提供各類測試標準材料，各級別硅與砷化鎵（靈敏度與精度不同）

* *小分辨率：0.1GS

* 磁場范圍：0-1T

* 配合高斯計或數采板可計算機通訊

* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等

* 霍爾系數、載流子濃度等參數的變化曲線

* 電阻率范圍：5*10^-5～5*10²Ω.cm

* 電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms

* 載流子濃度：5*10¹²～51*10²⁰cm^-3

*霍爾系數：±1*10^-2～±1*10⁶cm³/C

* 遷移率：0.1~108 cm 2 /volt*sec

*測試全自動化，一鍵處理

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高磁場霍爾效應實驗儀半導體材料測試系統

可測試材料:

半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；?

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。

作為北京高科技企業，錦正科技以現代高科技產業和傳統產業為核心業務，對內承接科研生產任務，對外以商務平臺方式實現軍民兩用技術成果轉換，形成了科學管理的現代化經營模式，專門從事物理、化學和材料等領域的科學儀器研發、銷售  各類型超低溫測試設備（液氮 液氦）制冷機系統集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發生系統，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺，霍爾測試系統，電輸運測量解決方案，磁光克爾效應測量系統等產品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內（較早）生產探針臺，電輸運，電磁鐵的廠家之一。