特點
高效率的截面研磨
IM4000II配備截面研磨能力達到500 µm/h*1以上的高效率離子槍。因此,即使是硬質材料,也可以高效地制備出截面樣品。
- *1
- 在加速電壓6 kV下,將Si片從遮擋板邊緣突出100 µm并加工1小時的深度
樣品:Si片(2 mm厚)
加速電壓:6.0 kV
擺動角度:±30°
研磨時間:1小時
截面研磨時如果擺動的角度發生變化,加工的寬度和深度也會發生變化。下圖為Si片在擺動角度為±15°下進行截面研磨后的結果。除擺動角度以外,其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結果進行對比后,可發現加工的深度變深。
對于觀察目標位于深處的樣品來說,能夠對樣品進行更快速的截面研磨。
樣品:Si片(2 mm厚)
加速電壓:6.0 kV
擺動角度:±15°
研磨時間:1小時
復合型研磨儀
截面研磨
- 即使是由不同硬度以及研磨速度材質所構成的復合材料,也可以通過IM4000Ⅱ制備出平滑的研磨面
- 優化加工條件,降低因離子束所致樣品的損傷
- 可裝載20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的樣品
截面研磨的主要用途
- 金屬以及復合材料、高分子材料等樣品的截面制備
- 含有裂縫和空隙等特定位置的樣品截面制備
- 多層樣品的截面制備以及對樣品EBSD分析的前處理
平面研磨
- 直徑約為5mm范圍內的均勻加工
- 應用領域廣泛
- 可裝載直徑50 mm × 高度25 mm的樣品
- 可選擇旋轉和擺動(±60度,±90度的擺動)2種加工方法
平面研磨的主要用途
- 去除機械研磨中難以消除的細小劃痕和形變
- 去除樣品表層部分
- 消除因FIB加工所致的損傷層