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分子束外延殘余氣體分析四極質譜儀

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產品簡介

A residual gas system configured for molecular beam epitaxy applications. Measures residual gases and provides for contamination and leak detection in MBE systems.

詳細介紹

HALO 201 MBE 分子束外延殘余氣體分析四極質譜儀用于泄漏探測、趨勢分析、真空診斷的過程監測和殘余氣體的精確分析。

該分子束外延特定分析質譜儀由兼容性材料組成，并能在分子束外延環境中長期使用。

·鉬銅布線增加MBE環境下系統的壽命

·抗污染離子源護罩

·雙法拉第/ channelplate電子倍增器

·質量數范圍： 1～300 amu

·掃描速度： 100amu/s

·最小掃描步階：0.01amu

·靈敏度： 0.1 ppm～1ppm

·穩定性： 24h以上，峰高變化小于±0.5%

·最小檢測分壓：2 x 10^-13 mbar

·工作壓力：1 x 10^-4mbar

Mass Spectrometers for Residual Gas Analysis - RGA (1.35 MB)

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