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深圳維爾克斯光電有限公司
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每個1550系列5x5近紅外光電探測器使用密封的定制封裝，分別連接到專用的外部引線。Amplification近紅外探測器陣列由25個探測器組成，排列成5乘5的陣列配置，中心到中心的間距為100μm，總探測面積為0.5mm*0.5mm
DAPDNIR 5x5 Array探測器，5×5陣列，950~1650nm，具有溫度穩定功能
每個1550系列5x5近紅外光電探測器使用密封的定制封裝，分別連接到專用的外部引線。Amplification近紅外探測器陣列由25個探測器組成，排列成5乘5的陣列配置，中心到中心的間距為100μm，總探測面積為0.5mm*0.5mm
近紅外銦鎵砷探測器陣列的主要特點：
-5×5陣列近紅外探測器采用In0.47Ga0.53As吸收器設計，可在950nm至1650nm的寬波長范圍內工作
-設計用于在各種環境溫度下運行，其中使用低功率兩級熱電冷卻器冷卻陣列溫度
-針對0.1ns至20ns激光雷達脈沖檢測的定制設計，具有高達50MHz的高重復頻率
- NIR InGaAs光子探測器陣列具有的偏置電壓穩定性
-每光子約75,000電子的高增益，足夠高以允許50Ω射頻前置放大器；無需進行跨阻抗匹配
-低噪聲因子
美國Amplification Technologies近紅外離散放大光子探測器陣列（DAPD：Discrete Amplification Photon Detector）5×5陣列近紅外探測器，具有溫度穩定功能。Amplification1550系列5x5近紅外光電探測器可實現近紅外光譜響應，950nm至1650nm、高速自淬火近紅外銦鎵砷探測器5x5 Array，轉為3D激光雷達應用而設計。DAPDNIR 5x5 Array探測器利用了Amplification Technologies開發和獲得的突破性離散放大方法，該方法使用多通道放大和單片集成負反饋雪崩機制來放大低電平電信號。離散放大技術具有內部放大功能，可提供非常高的增益（約100,000），這與非常低的過量噪聲系數（低于1.05）和快速響應（上升時間快于0.6ns）相結合。這些特性使NIR陣列式光電探測器DAPD能夠檢測單光子，并優化極低光水平的檢測。
NIR陣列式光電探測器主要應用：
1550系列5x5近紅外光電探測器系列設計用于激光雷達系統、三維激光雷達成像和環境監測應用。該NIR InGaAs光子探測器陣列針對0.5ns至20ns的激光脈沖長度進行了優化。25個探測器中的每個探測器都分別連接到封裝中的專用引腳，在封裝的四面都有公共陰極連接。能夠連接到25個像素中的任何一個提供了多個級別的靈活性。例如，離散放大InGaAs光子探測器陣列可以連接成四分之一配置或作為單個寬面積探測器。
NIR InGaAs探測器陣列作為50Ω系統的電子放大提供了額外的設計功能靈活性，使用現成的50Ω電子放大。陣列設計為在脈沖檢測模式下以恒定偏置運行，以連續模式運行，進一步降低了電氣系統設計的復雜性，并提供了許多選項來將Amplification探測器陣列系統與模擬到數字采樣系統、幀抓取器等進行集成。
Amplification近紅外探測器陣列的規格：
注：下表的近紅外銦鎵砷探測器陣列規格是在封裝環境溫度為-45°C時得出的；所有數值均為典型值。
| 參數 | DAPDNIR 5x5 Array 1550 series 100 µm Pitch | 單位 |
| 有效區域尺寸 | 500 by 500 | µm2 |
| 有效區域單像素 | 90 by 90 | µm2 |
| 像素數 | 25 | - |
| 光子檢測效率@1064nm (PDE)1 | 15 | % |
| 光譜響應范圍（λ） | 950-1650 | nm |
| 單光電子增益 (M) | 1x105 | - |
| 過量噪聲系數 | 1.05 | - |
| 暗計數率（單像素） | 4 | MHZ |
| 工作偏置 | 50-70 | V |
| 上升時間（10%- 90%） | 600 | ps |
| 單放大通道恢復時間（-35℃時） | 50 | ns |
| 額定值 | ||
| 損傷閾值 | 0.5 | nJ |
| 工作電流（反向偏置） | 50 | μA |
| 工作電壓 | -(Vop+4)2 | V |
（1）光子檢測效率包括后脈沖。
（2）靈敏度的工作偏置Vop由Amplification Technologies測試后提供。
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