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BSO，Fe:LiNbO3，SBN，BGO晶體

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產品簡介

optogama主要提供BSO，Fe：LiNbO 3，SBN和BGO這四種光折變晶體，光折變效應是通過光強度的空間變化來改變局部折射率的現象。觀察到相干光在光折射材料中相互干擾時會形成空間變化的照明模式。該效果可用于存儲臨時的可擦除全息圖，也稱為全息數據存儲。它也可以用于創建相位共軛鏡或光學空間孤子。

詳細介紹

BSO晶體、Fe:LiNbO₃晶體、SBN晶體、BGO晶體

Optogama提供4Lasers品牌的BSO，Fe：LiNbO3、SBN和BGO晶體主要用于開發光折變效應的應用。光折變效應是一種通過光強的空間變化來改變局部折射率的現象。在光折變材料中，當相干光相互干擾時觀察到，光折變材料形成了空間變化的照明模式。這種效果可以用來存儲臨時的、可擦除的全息圖，也稱為全息數據存儲。它也可以用來制造相位共軛鏡或光學空間孤子。

硅酸鉍(Bi)12SiO20，bso)晶體是一種高效率的光導材料，暗導率低，允許大量的光誘導空間電荷的積累。巨大的光電導性和電光特性提高了BSO晶體的應用范圍：空間光調制器、光開關、相位共軛混合器。Optogama用改進的Czochralski法生長了BSO晶體，其孔徑可達3英寸。

鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(Fe：LiNbO)的LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數和衍射效率、化學力學性能，是一種很有吸引力的光折變材料。Fe：LiNbO3晶體采用Czochralsky法生長，尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調整特定應用的材料性能。更重要的是，Fe：Linbo3晶體操作方便，成本低，適合批量生產。

SBN晶體晶體具有優良的光學和光折變性能。它們表面上是純的，被Ce，Cr，Co或Fe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學等領域有著廣泛的應用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體，采用改進的Stepanov法生長，線性尺寸可達40 mm。

鍺酸鉍（Bi12GeO20，BGO）晶體是具有低暗電導率的高效光電導體，可以積累大量光致空間電荷。

硅酸鉍晶體主要特點：

-高電光系數(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據要求定制

BSO晶體主要應用：

-空間光調制器

-光開關

-相位共軛混合器。

BSO晶體的技術特性：

化學公式	Bi₁₂SiO₂₀
晶體結構	立方體，點編組23
晶格參數	10.10 a
密度	9.2克/cm3
Mohs硬度	5
透明度范圍	0.45-6μm
折射率	2.5
光學活性	42deg/mm
電光系數	r41 = 5 pm/V
介電常數(低頻)	56
暗電阻	10¹⁴ Ohm cm

BSO晶體的產品規格：

透明孔徑	85 %
面尺寸公差	+0/-0.2毫米
厚度公差	±0.2毫米
平行度誤差	<30 arcsec
保護槽	<0.3 mm at 45°
表面質量	40-20 S-D
波前畸變	<λ/4@6328 nm
涂層	無涂層

硅酸鉍晶體產品型號

SKU	面尺寸	厚度	定向	價格（RMB）
1558	30×30毫米	1.0毫米	[110]	5500
6880	20x20毫米	1.0毫米	[110]	4500
6881	20x20毫米	1.0毫米	[100]	4500
6882	10x10毫米	5毫米	[110]	6500
6883	10x10毫米	5毫米	[100]	6500
6884	5x5毫米	5毫米	[110]	4800
6885	5x5毫米	5毫米	[100]	4900
9095	30×30毫米	1.5毫米	[110]	5600

鈮酸鋰晶體主要特點：

-高電光系數(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據要求定制

LiNbO3晶體的主要應用：

-空間光調制器

-光開關

-全息記錄

-光波導

LiNbO3晶體技術特性：

化學公式	Fe：LiNbO3
晶體結構	三角形，3m
密度	4.64克/cm3
Mohs硬度	5
透明度范圍	0.35-5.5μm
折射率@0，63μm	ne = 2.20, no = 2,29
電光系數	r₂₂= 6,8 pm/V,r₃₁= 10 pm/V,r₃₃= 32 pm/V
介電常數	e11 = 85,e33 = 30

鈮酸鋰晶體產品規格：

Fe2O3	0.1 mol. %，0.05 mol. %，0.03 mol. %，0.02 mol. %
定向	90°切割(X-切割，Y-切割)
透明孔徑	85 %
面尺寸公差	+0/-0.2毫米
厚度公差	±0.2毫米
平行度誤差	<3 arcmin
保護槽	<0.3 mm at 45°
表面質量	20-10 S-D
波前畸變	<λ/4@6328 nm
涂層	無，可根據要求提供抗反射或銦錫氧化物涂層
電極	無，可根據要求提供

鈮酸鋰晶體產品型號：

SKU	面尺寸	長度	摻雜水平	價格（RMB）
4052	10x10毫米	5毫米	0，05%Fe2O3	請求
6457	10x10毫米	5毫米	0，02%Fe2O3	請求
6458	10x10毫米	5毫米	0，03%Fe2O3	請求
7005	10x10毫米	5毫米	0，1%Fe2O3	請求
7006	10x10毫米	1毫米	0，02%Fe2O3	4000
7007	10x10毫米	1毫米	0，03%Fe2O3	4000
7008	10x10毫米	1毫米	0，05%Fe2O3	4000
7009	10x10毫米	1毫米	0，1%Fe2O3	4000
7010	20x20毫米	1毫米	0，02%Fe2O3	請求
7011	20x20毫米	1毫米	0，03%Fe2O3	請求
7012	20x20毫米	1毫米	0，05%Fe2O3	請求
7013	20x20毫米	1毫米	0，1%Fe2O3	請求

SBN晶體的主要特點：

-Ce，Cr，Co，Fe純摻雜

-有效相位共軛

-定制尺寸，摻雜水平，無極化，減反射涂層和沒有電極晶體可根據要求

SBN晶體的主要應用：

-光學信息記錄

-熱釋電探測器

-自泵浦自共軛鏡

-光學相關器

SBN晶體的技術特性：

構圖	SBN：61	SBN：75
晶體結構	四邊形，4毫米	四邊形，4毫米
晶格參數	a = 12,46 ?, c = 3,946 ?	a = 12,43024 ?, c = 3,91341 ?
密度	5,4 g/cm3	5,4 g/cm3
Mohs硬度	5.5	5.5
熔化溫度	1480°C	1480°C
居里溫度	75°C	56℃
透光度范圍	0.45-5.5μm	0.4-5.5μm
折射率@633 nm	no = 2.3103,ne = 2.2817	no = 2.3117,ne = 2.2987
Δn@633 nm	-0.0286	-0.0130
傳動	0.45-5.5μm	0.4-5.5μm
半波電壓(λ/2)	240 V	60V
介電常數(T=293 K)	900	340
電光系數	R13=45 pm/V,R33=250 pm/V	R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V
熱釋電系數	0.065μC×cm-2×K-1	0.28μC×cm-2×K-1
介電常數	880	3400

SBN晶體的產品規格：

定向	沿四方軸的短邊
波林	極化
電極	碳水電極
透明孔徑	85%
面尺寸公差	+0/-0.2毫米
厚度公差	±0.2毫米
平行度誤差	<30 arcsec
保護槽	<0.1 mm at 45°
表面質量	20-10 S-D通過透明光圈，60-40 S-D其他表面
表面平整度	<λ/4@6328 nm
涂層	無涂層

SBN晶體的產品型號：

SKU	材料	面尺寸	長度	摻雜	價格(RMB)
6940	SBN：61	5x5毫米	5毫米	CeO 2 0，002 wt，%	15000
6941	SBN：61	5x5毫米	10毫米	CeO 2 0，002 wt，%	18500
6942	SBN：61	5x5毫米	15毫米	CeO 2 0，002 wt，%	24000
6943	SBN：61	5x5毫米	20毫米	CeO 2 0，002 wt，%	30000
6944	SBN：61	5x5毫米	5毫米	CeO 2 0，01 wt，%	15000
6945	SBN：61	5x5毫米	10毫米	CeO 2 0，01 wt，%	18800
6946	SBN：61	5x5毫米	15毫米	CeO 2 0，01 wt，%	22000
6947	SBN：61	5x5毫米	20毫米	CeO 2 0，01 wt，%	30000
6948	SBN：61	5x5毫米	5毫米	CeO 2 0，1 wt，%	15000
6949	SBN：61	5x5毫米	10毫米	CeO 2 0，1 wt，%	18500
6950	SBN：61	5x5毫米	15毫米	CeO 2 0，1 wt，%	24000
6951	SBN：61	5x5毫米	20毫米	CeO 2 0，1 wt，%	30000
73	SBN：61	5x5毫米	5毫米	未摻雜	15000
74	SBN：61	5x5毫米	10毫米	未摻雜	18500
75	SBN：61	5x5毫米	15毫米	未摻雜	24000
76	SBN：61	5x5毫米	20毫米	未摻雜	30000

BGO晶體的主要特點：

-高電光系數(r41=3，5 pm/v)

-低暗電導

-大尺寸元件或晶片最多可達3“

-可根據要求定制

BGO晶體的主要應用：

-空間光調制器

-光開關

-光學相關器

BGO晶體的技術特性：

化學公式	Bi₁₂GeO₂₀
晶體結構	立方體，點編組23
晶格參數	10.15 a
密度	9.2克/cm3
傳輸范圍	0.45-7米
折射率@0.63m	2,55
光學活性@500 nm	41.5度/毫米
電光系數r41	3.5 pm/V
介電常數	40
暗電阻	1014 Ohm cm

BGO晶體的產品規格：

透明孔徑	85%
面尺寸公差	+0/-0.2毫米
厚度公差	±0.2毫米
平行度誤差	<30 arcsec
保護槽	<0.3 mm at 45°
表面質量	40-20 S-D
波前畸變	<λ/4@6328 nm
涂層	無涂層

BGO晶體的產品型號：

SKU	面尺寸	長度	定向	價格(RMB)
6868	5x5毫米	5毫米	[110]	5600
6871	5x5毫米	5毫米	[100]	5600
6872	10x10毫米	5毫米	[110]	8500
6873	10x10毫米	5毫米	[100]	8500
6874	20x20毫米	1毫米	[110]	5000
6875	20x20毫米	1毫米	[100]	5000
6876	30×30毫米	1毫米	[110]，邊與<001>平面±2deg平行	6000
6877	30×30毫米	1，5毫米	[110]	6000