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北京錦正茂科技有限公司
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DT640系列硅二極管溫度計選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。DT64-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特......
DT640硅二極管溫度計
DT640系列硅二極管溫度計選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT64-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有的優勢。
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式；
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：
10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓上等高達：75V；
※ 損壞前電流上等高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用；
| 等級或標定范圍 | 溫度范圍 | 標定范圍 | 精度 |
| A | 3K~500K | / | ±0.25K |
| B | 3K~500K | / | ±0.5K |
| C | 3K~500K | / | ±1K |
| 3L | 3K~325K | 3K~330K | ±0.1K |
| 3H | 3K~500K | 3K~505K | ±0.1K |
| 70L | 70K~325K | 65K~330K | ±0.1K |
| 70H | 70K~500K | 65K~505K | ±0.1K |
| 溫度計精度=（校準不確定度2 + 重復性2）0.5 | |||
封裝形式以及外形尺寸：
為滿足不同用戶使用條件的需求，錦正茂可以提供多種形式結構類型的溫度計封裝以及尺寸，下面幾種均為常見的封裝形式和其具體尺寸。我們也可以按照客戶需求進行設計。
MS：帶公制螺絲 BO：線軸封裝 PI：管式封裝 BC：裸片
該封裝形式適用于DT640、PT100、Cernox以及其他體積較小的傳感裸片
步驟一：確定傳感器的系列，比如DT-640
步驟二：選擇傳感器的精度等級，比如DT-640A
步驟三：選擇包裝和固定形式，并將包裝*為后綴放到傳感器型號后面， 比如DT-640A-BO
步驟一：確定傳感器的系列，比如DT-640
步驟二：選擇傳感器的標定范圍，比如DT-640-3L
步驟三：選擇封裝形式，并將封裝形式作為后綴放到傳感器型號后面，比如DT-640-3L-BO
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