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青島森納瑞精密儀器有限公司
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鎢燈絲掃描電鏡 SEM2000是一款基礎款的多功能分析型鎢燈絲掃描電鏡。20?kV分辨率可以做到3.9?nm，支持升級30?kV電壓，可觀察亞微級尺度樣品的微觀結構信息。擁有比臺式電鏡更大的移動范圍，適用于快速篩選待測樣品，更多的擴展接口，可搭載BSED、EDS等附件，使應用領域更廣。
*軟件界面僅供參考
純中文的操作界面
功能設計簡單易操作。符合國人使用習慣，即使是新手用戶，簡單了解后也能快速上手。
完善的自動化功能
自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散，均可一鍵調節，提高工作效率。
豐富的測量工具
長度、面積、圓度、角度等測量功能強大的照片管理和預覽、編輯功能。
光學導航
想看哪里點哪里，導航更輕松
標配光學導航攝像頭，可拍攝高清樣品臺照片，快速定位樣品。
防撞設計
對新手更友好的防碰撞設計，限度保護敏感單元。
一鍵成像
*軟件一鍵成像，新手也能輕松駕馭。
分析距離
分析距離和成像距離二合一，輕松體驗優質性能。
SEM2000軟件支持一鍵切換SE和BSE的混合成像。可同時觀察到樣品的形貌信息和成分信息。
SE：3.9 nm @20 kV
BSE：4.5 nm @ 20 kV
高靈敏度背散射探測器
· 多通道成像
探測器設計精巧，靈敏度高，采用4分割設計，無需傾斜樣品，可獲得不同方向的陰影像以及成分分布圖像。
四個單通道的陰影像
成分像
· 二次電子成像和背散射電子成像對比
背散射電子成像模式下，荷電效應明顯減弱，并且可以獲得樣品表面更多的成分信息。
鐵礦石-（SE）
鐵礦石-（BSE）
能譜
金屬夾雜物能譜面掃分析結果。
電子背散射衍射
鎢燈絲電鏡束流大，滿足高分辨EBSD的測試需求，能夠對金屬、陶瓷、礦物等多晶材料進行晶體取向標定以及晶粒度大小等分析。 該圖為Ni金屬標樣的EBSD反極圖，能夠識別晶粒大小和取向，判斷晶界和孿晶，對材料組織結構進行精確判斷。
新米胚乳淀粉顆粒顯微結構
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×5000
鹽
加速電壓：1 kV / 放大倍率：×2000
纖維截面
加速電壓：7 kV / 放大倍率：×1000
高分子透鏡陣列
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×200
載催化劑鎳網
加速電壓：20 kV / 放大倍率：×200
仲鎢酸銨
加速電壓：5 kV / 放大倍率：×1000
MnS夾雜
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×500
金屬斷口
加速電壓：20 kV / 放大倍率：×200
負極碳包硅
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×3000
干法拉伸薄膜
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×5000
磷酸鐵鋰
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×5000
鈷酸鋰
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×5000
PCB板
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×100
PCB板（車燈）
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×100
銅箔生箔
加速電壓：10 kV / 放大倍率：×10000
芯片
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×500
紅翅鶴頂粉蝶
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×5000
密蒙花中藥顆粒
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×2000
槲寄生中藥原粉
加速電壓：3 kV / 放大倍率：×2000
片球菌屬
加速電壓：15 kV / 放大倍率：×30000
| 電子光學系統 | 電子槍類型 | 預對中型發叉式鎢燈絲電子槍 |
| 分辨率 | 3.9 nm @ 20 kV（SE） | |
| 4.5 nm @ 20 kV（BSE） | ||
| 放大倍率 | 1 x～300,000 x | |
| 加速電壓 | 0.5 kV～20 kV | |
| 成像系統 | 探測器 | 二次電子探測器（ETD） |
| *背散射電子探測器、*能譜儀EDS等 | ||
| 圖像保存格式 | TIFF、JPG、BMP、PNG | |
| 真空系統 | 高真空 | 優于5×10-4 Pa |
| 控制方式 | 全自動控制 | |
| 泵 | 機械泵×1，分子泵×1 | |
| 樣品室 | 攝像頭 | 光學導航 |
| 樣品臺配置 | 兩軸自動 | |
| 行程 | X: 100 mm | |
| Y: 100 mm | ||
| 軟件 | 語言 | 中文 |
| 操作系統 | Windows | |
| 導航 | 光學導航、手勢快捷導航 | |
| 自動功能 | 自動亮度對比度、自動聚焦、自動像散 | |
| 特色功能 | 智能輔助消像散、大圖拼接（選配軟件） | |
| 安裝要求 | 房間 | 長 ≥ 3000 mm，寬 ≥ 4000 mm，高 ≥ 2300 mm |
| 溫度 | 20 ℃～25 ℃ | |
| 濕度 | ≤ 50 % | |
| 電氣參數 | 電源AC 220 V(±10 %),50 Hz,2 kVA |
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