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陜西天士立科技有限公司
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| 測量范圍 | 0~2000V,0~200Amm | 規格 | 30KG |
|---|---|---|---|
| 精度 | 1nA,1mV | 適用范圍 | Diode,BJT,MOSFET,IGBT,SCR |
陜西天士立科技有限公司/STD2000/氮化鎵GaN器件參數測試儀系統可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等電子元器件的靜態直流參數和IV曲線（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf
氮化鎵GaN器件參數測試儀系統
陜西天士立科技有限公司/STD2000/氮化鎵GaN器件參數測試儀系統可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等電子元器件的靜態直流參數和IV曲線
（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內阻Rds(on)）。
測試種類覆蓋 7 大類別26分類，包括“二極管類"“三極管類（如BJT、MOSFET、IGBT）"
“保護類器件"“穩壓集成類"“繼電器類"“光耦類"“傳感監測類"
等品類的繁多的電子元器件
高壓源標配1400V（選配2KV），高流源標配100A（選配40A,200A,500A）
控制極/柵極電壓40V，柵極電流100mA
分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%
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研發生產 半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗 各類儀器設備
1.1、產品信息
產品型號：STD2000
產品名稱：氮化鎵GaN器件參數測試儀
1.2、物理規格
主機尺寸：深660*寬430*高210(mm)
主機重量：＜35kg
1.3、電氣環境
主機功耗：＜300W
海拔高度：海拔不超過 4000m；
環境要求：-20℃～60℃（儲存）、5℃～50℃（工作）；
相對濕度： 20%RH～75%RH (無凝露，濕球溫度計溫度 45℃以下)；
大氣壓力：86Kpa～106Kpa；
防護條件：無較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導電粉塵等；
電網要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；
工作時間：連續；
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1、測試分析（功率器件研發設計階段的初始測試，主要功能為曲線追蹤儀）
2、失效分析（對失效器件進行測試分析，查找失效機理。以便于對電子整機的整體設計和使用過程提出改善方案）
3、選型配對（在器件焊接至電路板之前進行全部測試，將測試數據比較一致的器件進行分類配對）
4、來料檢驗（研究所及電子廠的質量部（IQC）對入廠器件進行抽檢/全檢，把控器件的良品率）
5、量產測試（可連接機械手、掃碼槍、分選機等各類輔助機械設備，實現規?；⒆詣踊瘻y試）
6、替代進口（STD2000氮化鎵GaN器件參數測試儀系統可替代同級別進口產品）
1、程控高壓源10~1400V，提供2000V選配；
2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A選配；
3、驅動電壓10mV~40V
4、控制極電流10uA~100mA；
5、16位ADC，1M/S采樣速率；
6、自動識別器件極性 NPN/PNP
7、曲線追蹤儀，四線開爾文連接保證加載測量的準確
8、通過 RS232 接口連接校準數字表，對系統進行校驗
9、不同的封裝形式提供對應的夾具和適配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）
10、氮化鎵GaN器件參數測試儀系統能測很多電子元器件（如二極管、三極管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、繼電器等等）；
11、氮化鎵GaN器件參數測試儀系統能實現曲線追蹤儀（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導通內阻Rds(on) ）
12、結電容參數也可以測試，諸如Cka，Ciss，Crss，Coss；
13、脈沖電流自動加熱功能，方便高溫測試，無需外掛升溫裝置；
14、Prober 接口、Handler 接口可選（16Bin），連接分選機效率1h/9000個；
15、氮化鎵GaN器件參數測試儀系統在各大電子廠的IQC、實驗室有著廣泛的應用；
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研發生產 半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗 各類儀器設備
STD2000氮化鎵GaN器件參數測試儀系統是由我公司技術團隊結合氮化鎵GaN器件參數測試儀系統的多年經驗，以及眾多國內外測試系統產品的熟悉了解后，自主開發設計的全新一代“氮化鎵GaN器件參數測試儀系統"。軟件及硬件均由團隊自主完成。這就決定了這款產品的功能性和可靠性能夠得到持續完善和不斷的提升。
氮化鎵GaN器件參數測試儀系統脈沖信號源輸出方面，高壓源標配1400V（選配2KV），高流源標配100A（選配40A,200A,500A）柵極電壓40V，柵極電流100mA，分辨率至1uV / 1.5pA，精度可至0.1%。程控軟件基于Lab VIEW平臺編寫，填充式菜單界面。采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補償由于系統內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結果準確可靠。產品可測試 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大類26分類的電子元器件。涵蓋電子產品中幾乎所有的常見器件。無論電壓電流源還是功能配置都有著擴展性。
產品為桌面放置的臺式機結構，由測試主機和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器，還能夠通過Prober 接口、Handler 接口可選（16Bin）連接分選機和機械手建立工作站，實現快速批量化測試。通過軟件設置可依照被測器件的參數等級進行自動分類存放。能夠應對“來料檢驗"“失效分析"“選型配對"“量產測試"等不同場景。
氮化鎵GaN器件參數測試儀系統產品的可靠性和測試數據的重復性以及測試效率都有著非常優秀的表現。創新的“點控式夾具"讓操作人員在夾具上實現一點即測。操作更簡單效率更高。測試數據可保存為EXCEL文本，方便快捷的完成曲線追蹤儀。
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STD2000氮化鎵GaN器件參數測試儀系統的功能配置如下
STD2000氮化鎵GaN器件參數測試儀系統的適配器有如下
STD2000氮化鎵GaN器件參數測試儀系統的測試種類和參數如下
(1)二極管類：二極管 Diode
Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（選配）；
(2)二極管類：穩壓二極管 ZD（Zener Diode）
Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；
(3)二極管類：穩壓二極管 ZD（Zener Diode）
Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；
(4)二極管類：三端肖特基二極管SBD（SchottkyBarrierDiode）
Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（選配）；
(5)二極管類：瞬態二極管 TVS
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；
(6)二極管類：整流橋堆
Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；
(7)二極管類：三相整流橋堆
Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；
(8)三極管類：三極管
Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （選配）、Ts（選配）、Value_process；
(9) 三極管類：雙向可控硅
Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；
(10)三極管類：單向可控硅
Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；
(11)三極管類：MOSFET
Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；
(12)三極管類：雙MOSFET
Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；
(13)三極管類：JFET
Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；
(14)三極管類：IGBT
Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；
(15)三極管類：三端開關功率驅動器
Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；
(16)三極管類：七端半橋驅動器
Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；
(17)三極管類：高邊功率開關
Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；
(18)保護類：壓敏電阻
Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;
(19)保護類：單組電壓保護器
Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；
(20)保護類：雙組電壓保護器
Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；
(21)穩壓集成類：三端穩壓器
Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；
(22)穩壓集成類：基準IC（TL431）
Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；
(23)穩壓集成類：四端穩壓
Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；
(24)穩壓集成類：開關穩壓集成器
選配；
(25)繼電器類：4腳單刀單組、5腳單刀雙組、8腳雙組雙刀、8腳雙組四刀、固態繼電器
Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（選配）、Toff（選配）；
(26)光耦類：4腳光耦、6腳光耦、8腳光耦、16腳光耦
Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；
(27)傳感監測類：
電流傳感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（選配）；
霍爾器件（MT44XX系列、A12XX系列）（選配）；
電壓監控器（選配）；
電壓復位IC（選配）；
曲線追蹤儀
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STD2000氮化鎵GaN器件參數測試儀系統的性能指標如下
（1）加壓(FV)
量程±40V分辨率625uV精度±0.1% 設定值±3mV
量程±20V分辨率320uV精度±0.1% 設定值±3mV
量程±10V分辨率160uV精度±0.1% 設定值±3mV
量程±5V分辨率80uV精度±0.1% 設定值±2mV
量程±2V分辨率32uV精度±0.1% 設定值±2mV
（2）加流(FI)
量程±40A 分辨率625uA精度±0.5% 設定值±30mA
量程±4A 分辨率62.5uA精度±0.2% 設定值±2mA
量程±400mA分辨率6.25uA精度±0.1% 設定值±500uA
量程±40mA分辨率625nA精度±0.1% 設定值±50uA
量程±4mA分辨率62.5nA精度±0.1% 設定值±5uA
量程±400uA分辨率6.25nA精度±0.1% 設定值±500nA
量程±40uA分辨率625pA精度±0.1% 設定值±50nA
量程±4uA分辨率62.5pA精度±0.1% 設定值±5nA
說明：電流大于1.5A自動轉為脈沖方式輸出，脈寬范圍：300us-1000us可調
（3）電流測量(MI)
量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 讀數值±20mA
量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 讀數值±2mA
量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 讀數值±200uA
量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 讀數值±20uA
量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 讀數值±2uA
量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 讀數值±200nA
量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 讀數值±20nA
（4）電壓測量(MV)
量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 讀數值±20mV
量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 讀數值±2mV
量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 讀數值±200uV
量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 讀數值±20uV
16位ADC，1M/S采樣速率
（1）電壓測量(MV)
量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%讀數值±200mV
量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%讀數值±20mV
量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%讀數值±10mV
量程±10V分辨率153uV精度±0.1%讀數值±5mV
量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%讀數值±2mV
量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%讀數值±2mV
（2）漏電流測量(MI)
量程±100mA分辨率1.53uA精度±0.2%讀數值±100uA
量程±10mA分辨率153nA精度±0.1%讀數值±3uA
量程±1mA分辨率15.3nA精度±0.1%讀數值±300nA
量程±100uA分辨率1.53nA精度±0.1%讀數值±100nA
量程±10uA分辨率153pA精度±0.1%讀數值±20nA
量程±1uA 分辨率15.3pA精度±0.5%讀數值±5nA
量程±100nA分辨率1.53pA精度±0.5%讀數值±0.5nA
（3）電容容量測量(MC)
量程6nF分辨率10PF精度±5%讀數值±50PF
量程60nF分辨率100PF精度±5%讀數值±100PF
（1）加壓(FV)
量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%設定值±500mV
量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%設定值±50mV
量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%設定值±5mV
（2）加流(FI)：
量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%設定值±10uA
量程2mA分辨率381nA精度±0.5%設定值±2uA
量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%設定值±200nA
量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%設定值±20nA
量程2uA分辨率381pA精度±0.5%設定值±20nA
STD2000氮化鎵GaN器件參數測試儀系統能測很多電子元器件（如二極管、三極管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、繼電器等等）產品廣泛的應用在院所高校、封測廠、電子廠.....
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