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鄭州科探儀器設備有限公司
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以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時,不可避免地會引入硫、鉛等其他雜質含量.微量的硫可以防止熱加工時晶粒尺寸增大或產生微裂紋;但當硫元素含量高于18 ppm時,會出現微裂紋;隨著兩種雜質元素(硫和鉛)，銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD為臺式磁控濺射鍍膜機，儀器結構緊湊，全自動控制，設計符合人體工程學，所得結果一致，可重復性高。
銅靶材Cu target 鄭科探小型磁控濺射靶材鍍膜銅膜料顆粒銅
以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時,不可避免地會引入硫、鉛等其他雜質含量.微量的硫可以防止熱加工時晶粒尺寸增大或產生微裂紋;但當硫元素含量高于18 ppm時,會出現微裂紋;隨著兩種雜質元素(硫和鉛)含量的增加,靶材裂紋的數量和電弧放電的數量會增加.因此,應盡可能降低靶材中的雜質含量,以提高薄膜的均勻性。
銅靶材鍍膜濺射儀
應用領域：
離子濺射儀在掃描電鏡中應用十分廣泛，通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導電樣品的荷電現象，并提高觀測效率，另外可以使用噴碳附件對樣品進行蒸碳，實現不導電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。
銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應技術參數；
| 控制方式 | 7寸人機界面 手動 自動模式切換控制 |
| 濺射電源 | 直流濺射電源 |
| 鍍膜功能 | 0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序 |
| 功率 | ≤1000W |
| 輸出電壓電流 | 電壓≤1000V 電流≤1A |
| 真空 | 機械泵 ≤5Pa（5分鐘） 分子泵≤5*10^-3Pa |
| 濺射真空 | ≤30Pa |
| 擋板類型 | 電控 |
| 真空腔室 | 石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm |
| 樣品臺 | 可旋轉φ62 （可安裝φ50基底） |
| 樣品臺轉速 | 8轉/分鐘 |
| 樣品濺射源調節距離 | 40-105mm |
| 真空測量 | 皮拉尼真空計（已安裝 測量范圍10E5Pa 1E-1Pa） |
| 預留真空接口 | KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進氣口 |
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