LED防爆平臺燈50W

產品特點

◎  外殼采用鋁合金壓鑄成型，經拋丸處理后高壓靜電噴塑；

◎  透明罩采用聚碳酸酯材料，透光率高，抗沖擊，抗光老化；

◎  高亮度LED光源體積小、光效高、功耗低、理論壽命長達100000小時；

◎  復合型結構設計，接線腔采用增安型結構，電源連接方便快捷；

◎  寬電壓范圍，滿足用戶工業現場的使用要求；

◎  特殊設計的密封結構，產品防護等級高；

◎  精心設計的安裝附件，安裝方便快捷；

◎  外露緊固件采用不修鋼材質；

◎  LED防爆平臺燈50W鋼管或電纜布線。

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本產品嚴格按照IS9001:2000質量管理體系標準進行質量控制,確保產品高于國家標準，*達到設計要求,自購買之日起3年內（光源1年）,產品正常使用下出現任何故障由本公司免費維修。

適用范圍

¤  適用于1區、2區危險場所；

¤  適用于ⅡA、ⅡB、ⅡC類爆炸性氣體環境；

¤  適用于爆炸性氣體混合溫度：T1~T4；

¤  廣泛用于石油，化工、冶金，*，醫藥等危險環境。

技術參數

●  執行標準：GB3836.1-2000、GB3836.2-2000、IEC60079；

●  防爆標志：Exe IIT4；

●  額定電壓：AC220V/50Hz；

●  額定功率：10---200W

●  色溫：普通白光；5500-6500K

●  普通黃光：2700-3000K

●  光效（IM/W);90～100

●  顯色性：80（普通白）

●  光通量：

         40W   4000-4400  

         50W   5000-5500

         60W   6000-6600

●  外形尺寸300X240X215           

　首先，2012年上游產能逐步釋放，LED防爆平臺燈50W外延芯片價格壓力仍將持續，國產化率穩步提升，國內外競爭加劇波及大功率芯片。

　　2011年，國內的MOCVD總數達到720臺，按目前各公司調整后的設備引進計劃，預計2012年MOCVD的安裝量將維持在300臺左右的水平。2011年，國內企業芯片營收增長30%，達到65億元，但遠遠不及MOCVD設備106%的增速，這也反映出國內芯片產能未能充分發揮，2012年外延芯片價格壓力仍將持續。

　　2011年，國內GaN芯片產能增長達到12000kk/月，但產能利用不足50%，全年產量僅為710億顆，但國產化率達到70%以上。同時，國內芯片已經通過小芯片集成的方式在照明應用取得突破;大功率照明芯片20%的*仍然較低，但隨著研發創新和產品品質的提升，總體趨勢是國內芯片占有率小幅提高，國外芯片價格有望突破6000RMB/K。

　　盡管2011年末LED市場增量放緩，但仍有來自日本和中國臺灣地區的上游項目入駐中國大陸，這也造成2012年國內LED外延芯片領域競爭趨勢加劇，在宏觀經濟形勢持續動蕩的形勢下，國內上游產業投資將趨謹慎。

　　其次，2012年封裝領域，優質企業將整合更多行業資源，LED防爆平臺燈50W產品結構向高亮LED、SMDLED集中，總體市場保持增量減利趨勢，上下游合作整合成為封裝企業突圍的新模式。

　　2011年，以國星光電、瑞豐光電、鴻利光電為首的LED封裝企業陸續發力、紛紛入市，2012年資本與封裝企業的合作將更加緊密與活躍。

　　2011年，我國LED封裝產業整體規模達到285億元，較2010年的250億元增長14%，產量則由2010年的1335億只增加到1820億只，增長36%。2012年，國內封裝產量依然會保持30%以上的增長，但由于利潤率受到上下游成本與需求的擠壓，造成總體產值增長不會超過20%。

　　從產品結構來看，高亮LED產值達到265億元，占LED封裝總銷售額的90%以上;SMDLED封裝增長zui為明顯，已經成為LED封裝的主 品，2012年，SMD和高亮LED所占比例仍將有有較大提升。

　　LED封裝企業作為產業鏈中間環節，往往需要承受來自縱向與橫向兩個方面的競爭壓力，盡管2011年的資本介入增加了部分LED封裝企業的競爭籌碼，然而，整合突圍仍然是落在封裝企業肩頭的一副重擔。據筆者獲悉，目前一些封裝企業已經展開了與國內傳統照明大廠的合作，共同投資、合作建廠的模式或許會成為這條突圍路上的新嘗試。

　　再有，2012年LED應用領域將保持較快增長，照明、景觀、背光仍是拉動增長的三駕馬車，LED照明應用熱點進一步從戶外照明轉向室內，市場需求和國內政策引導將成為決定LED照明增長速度的關鍵要素。LED照明應用競爭格局存在諸多變數，具有資金、規模、技術、品牌和市場渠道優勢的企業成為產業整合的主體。