功率半導體參數測試儀 返回列表頁

功率半導體參數測試儀系統特征：

● 測試范圍廣（19大類，27分類）
● 采用脈沖測試法，脈沖寬度為美軍標規定的300uS
● 真正的動態跨導測試。（主流的直流方法測動態跨導，其結果與器件實際值偏差很大）
● 系統故障在線判斷修復能力，便于應急處理排除故障

功率半導體參數測試儀基礎配置：

分立器件測試儀測試參數：

漏電參數：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、     IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數：BVCEO   BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、  BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、
                BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數：hFE、CTR、gFS、
導通參數：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VGETH、VTM、VSD、
                IDON、VSAT、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO    (Regulator)、IIN(Regulator)
混合參數：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
關斷參數：VGSOFF      
觸發參數：IGT、VGT
保持參數：IH、IH+、IH-
鎖定參數：IL、IL+、IL-

產品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優勢，將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等；

深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測試方案供應商，2025中國制造 • 芯片設計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。