檢測項目 | 覆蓋產品 | 檢測能力 | 參考標準 |
功率循環試驗(PC) | IGBT模塊 | ΔTj=100℃ 電壓電流大1800A 12V | IEC 客戶自定義 |
高溫反偏試驗(HTRB) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導體器件等單管器件 | 溫度150℃; 電壓2000V | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
高溫門極試驗(HTGB) | MOSFET、SiC MOS等單管器件 | 溫度150℃; 電壓2000V | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
高溫工作壽命試驗(HTOL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 | 溫度150℃ 電壓2000V | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
低溫工作壽命試驗(LTOL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 | 溫度-80℃ 電壓2000V | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
高溫儲存試驗(HTSL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 | 溫度150℃; | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
低溫儲存試驗(LTSL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 | 溫度-80℃ | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
高溫高濕試驗(THB) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 | 溫度180℃ 濕度范圍:10%~98% | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
高低溫循環試驗(TC) | MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品 | 溫度范圍:-80℃~220℃ | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
間歇壽命試驗(IOL)功率循環試驗(PC) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 | ΔTj≧100℃ 電壓電流48V,10A | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
穩態功率試驗(SSOL) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件 | ΔTj≧100℃ 電壓電流48V,10A | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
高加速應力試驗(HAST) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 | 溫度130℃/110℃ 濕度85% | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
*無偏壓的高加速應力試驗(UHAST) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 | 溫度130℃ 濕度85% | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
高溫蒸煮試驗(PCT) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品 | 溫度121℃ 濕度 | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
預處理試驗(Pre-con) | 所有SMD類型器件 | 設備滿足各個等級的試驗要求 | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
潮氣敏感度等級試驗(MSL) | 所有SMD類型器件 | 設備滿足各個等級的試驗要求 | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
*可焊性試驗(Solderability) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件 | 有鉛、無鉛均可進行 | 美軍標,國標,JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |