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青島佳鼎分析儀器有限公司
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Lam9600旨在蝕刻具有高度垂直側壁的鋁金屬和TiW層，適用于0.35um線寬
Lam 9600 旨在蝕刻具有高度垂直側壁的鋁金屬和 TiW 層，適用于 0.35 um 線寬。等離子體是一種中高密度、變壓器耦合等離子體，類似于 ICP 源，允許單獨控制線圈（頂部電極）功率和壓板（下部電極）功率。在腔室中，晶圓被機械夾持到水冷壓板上，He 背面氣體提供耦合。Cl2/BCl3 化學成分用于 Al 和 SF6 用于 TiW 層。TiW 蝕刻和 Cl 鈍化步驟（也使用 SF6）可以在出口鎖或主腔室中進行。預計 Cl 化學對 Al2O3 層以及具有最小底切的硅溝槽有效。
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