特點
特點
超高分辨成像
日立的高亮度電子源可保證了即使在超低著陸電壓下,也可獲得超高分辨的圖像。
0.8 kV電壓條件下觀察RHO型沸石的實例。左圖為顆粒整體的形貌,右圖為放大圖像,顆粒表面細微的臺階結構清晰可見。低電壓觀察對于減少電子束損傷和獲取表面形狀信息較為有效。
樣品提供:日本工業技術綜合研究所 上村 佳大 先生
高襯度的低加速電壓背散射圖像
3D NAND截面觀察;
在低加速電壓條件下,背散射電子信號能夠明顯的顯示出氧化硅層和氮化硅層的襯度差別。
3D NAND截面觀察(加速電壓:1.5kV)
快速BSE圖像:新型閃爍體背散射電子探測器(OCD)*
由于使用了新型的OCD探測器,即使掃描時間不到1秒,也仍然可以觀察到Fin-FET清晰的深層結構圖像.
5納米制程SRAM的內部結構觀察 (加速電壓:30kV,掃描時間<1秒)
*的自動化功能*
EM Flow Creator 允許客戶創建連續圖像采集的自動化工作流程。EM Flow Creator將不同的SEM功能定義為圖形化的模塊,如設置放大倍率、移動樣品位置、調節焦距和明暗對比度等。用戶可以通過簡單的鼠標拖拽,將這些模塊按邏輯順序組成一個工作程序。經過調試和確認后,該程序便可以在每次調用時自動獲得高質量、重現性好的圖像數據。
靈活的用戶界面
原生支持雙顯示器,提供靈活、高效的操作空間。6通道同時顯示與保存,實現快速的多信號觀測與采集。
1,2,4 或6通道信號可在同一個顯示器上同時顯示,可切換內容包括SEM各探測器以及樣品室相機和導航相機??梢酝ㄟ^使用兩個顯示器來擴展工作空間,可定制的用戶界面以提高工作效率。